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更新時(shí)間:2018-06-01 瀏覽次數(shù):3673
大數(shù)據(jù),、云計(jì)算,、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲(chǔ)市場(chǎng)火爆異常,，價(jià)格一漲再漲,，從手機(jī),、電腦,、汽車(chē),、到玩具,，幾乎所有電子產(chǎn)品等離不開(kāi)存儲(chǔ)器,，而尤其可穿戴、醫(yī)療,、工業(yè)設(shè)備更離不開(kāi)高性能,、高耐久性以及低功耗特性的關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。作為系統(tǒng)關(guān)鍵組成部分,，存儲(chǔ)性能至關(guān)重要,。面對(duì)市場(chǎng)上參差不齊的存儲(chǔ)器，選擇的方向是什么?未來(lái),，存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新又該從哪些方面下手呢?
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201805/379305.htm在第七屆EEVIA年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2018產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)上,，富士通電子元器件產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新就富士通對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的策略以及創(chuàng)新方向?yàn)榇蠹易隽朔窒怼,！癋RAM(鐵電存儲(chǔ)器)用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM(碳納米管存儲(chǔ))用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容量EEPROM,。”在詳細(xì)介紹富士通三大存儲(chǔ)技術(shù)之前,，馮逸新首先介紹了它們各自的市場(chǎng)定位,，三大各具獨(dú)特性能的存儲(chǔ)技術(shù)有望在各類(lèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)中扮演黑馬角色。
表計(jì),、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用之外,，F(xiàn)RAM全面拓展汽車(chē)與無(wú)電池應(yīng)用
FRAM的三大優(yōu)勢(shì)我們都很熟悉——耐久性、高速寫(xiě)入,、低功耗,。什么是耐久性?馮逸新舉了個(gè)例子，假設(shè)寫(xiě)入頻率是1秒/次,，如果產(chǎn)品壽命是十年,，那么在十年中寫(xiě)入耐久性大概需要3.2億次。很顯然,，EEPROM和Flash都是滿足不了的,。
FRAM 優(yōu)于 EEPROM和Flash的耐久性,。
FRAM的寫(xiě)入速度有多高呢?就寫(xiě)入一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)間來(lái)講,，F(xiàn)RAM的速度大概是EEPROM的1/3000,。也就是說(shuō)，如果一個(gè)系統(tǒng)用一個(gè)主控加一個(gè)硬 FRAM,，發(fā)生掉電的時(shí)候,，數(shù)據(jù)是不會(huì)丟失的。集這么多優(yōu)點(diǎn)于一身的FRAM 都可以應(yīng)用在哪些方面呢?馮逸新表示富士通的FRAM 已經(jīng)廣泛應(yīng)用到了智能表計(jì)系統(tǒng),、物聯(lián)網(wǎng)(IoT),、醫(yī)療電子等等。隨著車(chē)規(guī)FRAM產(chǎn)品的推出,，目前FRAM已經(jīng)全面進(jìn)入無(wú)電池引用以及汽車(chē)電子系統(tǒng),，包括胎壓監(jiān)測(cè)、BMS監(jiān)測(cè),、氣囊等等,。
發(fā)生掉電時(shí),，EEPROM,、Flash以及FRAM的數(shù)據(jù)丟失情況。
車(chē)載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類(lèi)傳感器資料的需求持續(xù)增加,，因此對(duì)于高效能非易失性內(nèi)存技術(shù)的需求也越來(lái)越高,，因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)，只有這類(lèi)內(nèi)存才能夠可靠而無(wú)延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù),。由于FRAM屬于非失去性內(nèi)存,，不僅能進(jìn)行高速隨機(jī)存取，且擁有高耐寫(xiě)度的特性,，因此能以最佳的性能滿足這類(lèi)應(yīng)用的需求,。2017年富士通推出兩款車(chē)規(guī)級(jí)FRAM存儲(chǔ)解決方案，能夠支持安全氣囊數(shù)據(jù)儲(chǔ)存,、事故數(shù)據(jù)記錄器(EDR),、電池管理系統(tǒng)(BMS)、汽車(chē)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)及導(dǎo)航與信息娛樂(lè)系統(tǒng)等應(yīng)用中的實(shí)時(shí)且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存,，從而達(dá)到降低系統(tǒng)復(fù)雜度并提高數(shù)據(jù)完整性的目的,。
車(chē)規(guī)級(jí)FRAM是滿足汽車(chē)電子可靠性和無(wú)遲延要求的最佳存儲(chǔ)器選擇,。
據(jù)相關(guān)報(bào)道，到2020年,，預(yù)計(jì)全球?qū)?huì)有500億設(shè)備接入互聯(lián)網(wǎng),。“富士通針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的無(wú)線無(wú)電池的市場(chǎng)需求,，研發(fā)了無(wú)線供電的低功耗嵌入式RFID創(chuàng)新性解決方案,。該方案省去了RFID電池供電的需求,，省去了MCU，讓產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期更短,、開(kāi)發(fā)更加容易,、成本更加低廉?！瘪T逸新說(shuō)到,。基于FRAM的RFID有以下幾個(gè)特點(diǎn)：
一,、耐輻射性,，在強(qiáng)輻射的照射下數(shù)據(jù)仍然可以安全存儲(chǔ);
二、低功耗和外部元器件供電,，在不穩(wěn)定電源或者不需要電源狀態(tài)下,，仍然可以實(shí)現(xiàn)高可靠的讀寫(xiě)應(yīng)用;
三、快速讀寫(xiě)能力,，提高標(biāo)簽的讀寫(xiě)吞吐量提高效率,。還有，大容量可以滿足大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),，同等的讀寫(xiě)距離使應(yīng)用更方便,。
FRAM技術(shù)的優(yōu)勢(shì)結(jié)合RFID技術(shù)，我們相信富士通的無(wú)源解決方案將在物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用中擁有廣闊的市場(chǎng),。